Samsung стартовала производство NAND памяти по 30-нм техпроцессу

Компания Samsung выпустил первую партию флэш-памяти NAND на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу. Чипы будут использоваться во флэш-модулях ...

Компания Samsung выпустил первую партию флэш-памяти NAND на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу. Чипы будут использоваться во флэш-модулях 8 Гб microSD карт совместно с 3-битными NAND контроллерами Samsung.

"Экономичная технология 3-битных модулей памяти по 30-нм техпроцессу расширяет спектр NAND решений Samsung и делает NAND память еще более привлекательной", - говорит Дон Су Юн, исполнительный вице-президент по маркетингу устройств памяти Samsung Electronics. "Наша 3-битная NAND память позволит создавать более дешевые потребительские устройства хранения данных с более высоким объемом памяти".

Эффективность 3-битной NAND памяти на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу на 50% превосходит показатели наиболее распространенной сейчас 2-битной NAND памяти. Новая память Samsung - это эффективное решение на базе NAND, которое может использоваться в картах памяти и флэш-накопителях.

В 2005 году Samsung представил 16-гигабитное устройство памяти на основе технологии многоуровневых ячеек по 50-нм техпроцессу, которые открыло эпоху стремительного развития сегмента флеш-памяти. Новое поколение памяти должно существенно увеличить долю NAND памяти в сегменте накопителей высокого объема (до 32 Гб), что очень востребовано на рынке за счет развития портативных устройств, проигрывающих видео.